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超 LSI 技術 9 半導體プロセスその 3 = 半導體硏究 : 22
超 LSI 技術 9 半導體プロセスその 3 = 半導體硏究 : 22 / 西澤潤一편.
超 LSI 技術 9 半導體プロセスその 3 = 半導體硏究 : 22

상세정보

자료유형  
 단행본
UDC  
621.382
DDC  
621.382-23
청구기호  
621.382 서883ㅊ
저자명  
西澤潤一편.
서명/저자  
超 LSI 技術 9 半導體プロセスその 3 = 半導體硏究 : 22 / 西澤潤一편.
발행사항  
동경 : 工業調査會, 1985
주기사항  
초 LSI 기술 9 반도체프로세스 반도체연구 ; 22
가격  
16,000
Control Number  
gtec:542

MARC

 008940819s1985        ja                        000      jpn
■0801  ▼a621.382
■082    ▼a621.382▼223
■090    ▼a621.382▼b서883ㅊ
■1001  ▼a西澤潤一편.
■24510▼a超  LSI  技術  9  半導體プロセスその 3▼x半導體硏究▼b22▼d西澤潤一편.
■260    ▼a동경▼b工業調査會▼c1985
■500    ▼a초  LSI  기술  9  반도체프로세스  반도체연구  ;  22▼a등록번호  H517  :  서고에  보관  (종합자료실  데스크에  문의)
■9500  ▼c16,000

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