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超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21
超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21
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■1001 ▼a西澤潤一 편.
■24510▼a超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化▼x半導體硏究▼b21▼d西澤潤一 편.
■260 ▼a동경▼b工業調査會▼c1985
■500 ▼a초 LSI 기술 8 프로세스의 저온화 반도체연구 ; 21▼a등록번호 H516 : 서고에 보관 (종합자료실 데스크에 문의)
■9500 ▼c16,000
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- 光電子移動反應─有機ひずみ化合物を例として─…1
- ドライプロセスのインプロセス評價…19
- 簿い酸化膜〔Ⅰ〕─形成方法と物性─…53
- 簿い酸化膜〔Ⅱ〕─構造解析─…77
- 表面世淨效果と底溫成エピタキンャル長…101
- 選擇エピタキンャル成長─素子分離─…127
- CVD法による簿膜の高速成長および選擇成長…167
- 固相成長…193
- シリサイド/シリコン界面…225
- 超音波顯微鏡による欠陷評價の式み…255
- 【パネルディスカッション】…285
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'서고'에 소장중인 자료의 열람(또는 대출)을 희망할 경우, 종합자료실 데스크로 문의바랍니다.
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