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超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21
超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21 / 西澤潤一 편.
超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21

Detailed Information

자료유형  
 단행본
UDC  
621.382
DDC  
621.382-23
청구기호  
621.382 서883ㅊ
저자명  
西澤潤一 편.
서명/저자  
超 LSI 技術 8 プロセスの低溫化 = 半導體硏究 : 21 / 西澤潤一 편.
발행사항  
동경 : 工業調査會, 1985
주기사항  
초 LSI 기술 8 프로세스의 저온화 반도체연구 ; 21
가격  
16,000
Control Number  
gtec:541

MARC

 008940819s1985        ja                        000      jpn
■0801  ▼a621.382
■082    ▼a621.382▼223
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■1001  ▼a西澤潤一  편.
■24510▼a超  LSI  技術  8  プロセスの低溫化▼x半導體硏究▼b21▼d西澤潤一  편.
■260    ▼a동경▼b工業調査會▼c1985
■500    ▼a초  LSI  기술  8  프로세스의  저온화  반도체연구  ;  21▼a등록번호  H516  :  서고에  보관  (종합자료실  데스크에  문의)
■9500  ▼c16,000

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    H000516 621.382 서883ㅊ c.21 서고(데스크 문의) 대출가능 대출가능
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