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양자 효과를 이용해서 10G 비트／칩 이상의 기억 용량이 가능한 메모리 셀
양자 효과를 이용해서 10G 비트／칩 이상의 기억 용량이 가능한 메모리 셀
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12271144
- 서명/저자
- 양자 효과를 이용해서 10G 비트／칩 이상의 기억 용량이 가능한 메모리 셀
- 형태사항
- pp. 194
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- gtec:380476
MARC
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■245 ▼a양자 효과를 이용해서 10G 비트／칩 이상의 기억 용량이 가능한 메모리 셀
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■773 ▼t자동화기술 : AUTOMATION SYSTEMS▼gv.9 n.3▼d1993, 03
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