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Si 기판의 소성변형 효과 보정에 의해 개선된 곡률측정법을 이용한 CVD 다이아몬드 박막의 잔류응력 평가
Si 기판의 소성변형 효과 보정에 의해 개선된 곡률측정법을 이용한 CVD 다이아몬드 박막의 잔류응력 평가
Detailed Information
MARC
008171025s2000 a a jpn■022 ▼a17388228
■245 ▼aSi 기판의 소성변형 효과 보정에 의해 개선된 곡률측정법을 이용한 CVD 다이아몬드 박막의 잔류응력 평가▼d백영준
■300 ▼app. 1675
■7001 ▼a백영준
■773 ▼t대한금속ㆍ재료학회지▼gv.38 n.12▼d2000, 12
■SIS ▼aKS035357▼b63212▼h3▼sG
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