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UV/O_3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오염물 제거
UV/O_3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오...
UV/O_3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오염물 제거

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
17388228
서명/저자  
UV/O_3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오염물 제거 / 崔均碩
형태사항  
pp. 766
기타저자  
崔均碩
기본자료저록  
대한금속ㆍ재료학회지 : v.40 n.7 2002, 07
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
gtec:353431

MARC

 008171023s2002              a    a                          jpn
■022    ▼a17388228
■245    ▼aUV/O_3와  ECR  플라즈마를  이용한  wafer  storage  box로부터  발생하는  Si  웨이퍼  표면  위의  유기오염물  제거▼d崔均碩
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