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광출력 3W급 GaN 기반의 수직형 발광다이오드 단일 칩 N-전극 최적화를 위한 연구
광출력 3W급 GaN 기반의 수직형 발광다이오드 단일 칩 N-전극 최적화를 위한 연구 / 최원식
광출력 3W급 GaN 기반의 수직형 발광다이오드 단일 칩 N-전극 최적화를 위한 연구

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
17388228
서명/저자  
광출력 3W급 GaN 기반의 수직형 발광다이오드 단일 칩 N-전극 최적화를 위한 연구 / 최원식
형태사항  
pp. 302
기타저자  
최원식
기본자료저록  
대한금속ㆍ재료학회지 : v.53 n.4 2015, 04
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
gtec:350968

MARC

 008171019s2015              a    a                          jpn
■022    ▼a17388228
■245    ▼a광출력  3W급  GaN  기반의  수직형  발광다이오드  단일  칩  N-전극  최적화를  위한  연구▼d최원식  
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