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Semiconductor : 연재(3) - 차세대 비휘발성 메모리의 개발동향 : 차세대 MRAM을 위한 신 재료 기술
Semiconductor : 연재(3) - 차세대 비휘발성 메모리의 개발동향 : 차세대 MRAM을 위한 신 재료 기술
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12271101
- 서명/저자
- Semiconductor : 연재(3) - 차세대 비휘발성 메모리의 개발동향 : 차세대 MRAM을 위한 신 재료 기술
- 형태사항
- pp. 129
- 기본자료저록
- 전자기술 : v.16 n.12 2003, 12
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- gtec:340359
MARC
008170927s2003 a a kor■022 ▼a12271101
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