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New Tech 소니, DRAM 적증한 3층 구조의 CMOS 이미지 센서 개발
New Tech 소니, DRAM 적증한 3층 구조의 CMOS 이미지 센서 개발
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12271101
- 서명/저자
- New Tech 소니, DRAM 적증한 3층 구조의 CMOS 이미지 센서 개발
- 형태사항
- pp. 30
- 기본자료저록
- 전자기술 : v.30 sn.350 2017, 03
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- gtec:331988
MARC
008170920s2017 a a kor■022 ▼a12271101
■245 ▼aNew Tech 소니, DRAM 적증한 3층 구조의 CMOS 이미지 센서 개발
■300 ▼app. 30
■773 ▼t전자기술▼gv.30 sn.350▼d2017, 03
■SIS ▼aKS033841▼b63123▼h3▼sG


