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(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향
(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링...
(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
17388228
서명/저자  
(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향 / 김호범 ; 이호성
형태사항  
pp. 1009
기타저자  
김호범
기타저자  
이호성
기본자료저록  
대한금속ㆍ재료학회지 : v.52 n.12 2014, 12
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
gtec:288103

MARC

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