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(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향
(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향
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008141205s2014 a a jpn■022 ▼a17388228
■245 ▼a(논문) 전자재료: 박막 트랜지스터용 MgZnSnO 채널층의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 어닐링 온도의 영향▼d김호범▼e이호성
■300 ▼app. 1009
■7001 ▼a김호범
■7001 ▼a이호성
■773 ▼t대한금속ㆍ재료학회지▼gv.52 n.12▼d2014, 12
■SIS ▼aKS029723▼b63212▼h3▼sG
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