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반도체 평탄화 CMP 기술
반도체 평탄화 CMP 기술
Detailed Information
- Material Type
- 단행본
- ISBN
- 8955260199
- UDC
- 621.382
- DDC
- 621.38152 N163ㅂ-23
- Callnumber
- 621.38152 N163ㅂ
- Title/Author
- 반도체 평탄화 CMP 기술 / T. Doi, T. Kasai, T. Nakagawa 저 ; 이충훈, 송형수, 명중재, 박진구 공역
- Publish Info
- 서울 : 북스 힐, 2001
- Material Info
- 283p. : 삽도 ; 23cm
- Formatted Contents Note
- 완전내용1장 총론 - 차세대 LSI 공정에서의 CMP의 역할부분내용1완전내용1.1 진공관으로부터 IC 그리고 LSI까지의 과정부분내용1완전내용1.2 LSI는 지금 평탄화 CMP를 필요로 한다부분내용3완전내용1.3 평탄화 수법과 CMP부분내용7완전내용1.4 CMP의 적용 공정과 요구 조건부분내용10완전내용1.5 결론부분내용21완전내용참고문헌부분내용23완전내용2장 초정밀 가공기술과 CMP의 기초-CMP의 위치 부여와 CMP가공 mechanism부분내용25완전내용2.1 서론부분내용25완전내용2.2 CMP에 대한 요구 사항부분내용2700완전내용2.3 각종 초정밀 가공법과 가공의 mechanism부분내용2811완전내용2.4 CMP의 여러 가지 요인부분내용3922완전내용참고문헌부분내용4633완전내용3장 CMP의 요소기술부분내용4944완전내용3.1 CMP의 장치화 기술부분내용4955완전내용3.2 품위와 능률을 좌우하는 슬러리부분내용7366완전내용3.3 평탄화 정밀도를 결정하는 연마 패드부분내용9677완전내용3.4 CMP 후 세정 공정부분내용11488완전내용3.5 CMP 도중 계측과 평가 기술부분내용13399완전내용참고문헌부분내용14700완전내용4장 디바이스에 적용 사례부분내용15311완전내용4-1 Logic 디바이스에 적용부분내용15322완전내용저유전율 절연막의 평탄화 기술부분내용15333완전내용logic ULSI 기초기술에의 응용부분내용17044완전내용4.2 Memory 디바이스에 적용부분내용18755완전내용4.3 차세대 배선 기술부분내용20266완전내용4.4 SOI 디바이스에 응용부분내용23677완전내용참고문헌부분내용26088완전내용5장 CMP의 장래부분내용26999완전내용찾아보기부분내용27900
- Price Info
- -15,000
- Control Number
- gtec:25040
MARC
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■505 ▼a1장 총론 - 차세대 LSI 공정에서의 CMP의 역할▼c1▼a1.1 진공관으로부터 IC 그리고 LSI까지의 과정▼c1▼a1.2 LSI는 지금 평탄화 CMP를 필요로 한다▼c3▼a1.3 평탄화 수법과 CMP▼c7▼a1.4 CMP의 적용 공정과 요구 조건▼c10▼a1.5 결론▼c21▼a참고문헌▼c23▼a2장 초정밀 가공기술과 CMP의 기초-CMP의 위치 부여와 CMP가공 mechanism▼c25▼a2.1 서론▼c25▼a2.2 CMP에 대한 요구 사항▼c2700▼a2.3 각종 초정밀 가공법과 가공의 mechanism▼c2811▼a2.4 CMP의 여러 가지 요인▼c3922▼a참고문헌▼c4633▼a3장 CMP의 요소기술▼c4944▼a3.1 CMP의 장치화 기술▼c4955▼a3.2 품위와 능률을 좌우하는 슬러리▼c7366▼a3.3 평탄화 정밀도를 결정하는 연마 패드▼c9677▼a3.4 CMP 후 세정 공정▼c11488▼a3.5 CMP 도중 계측과 평가 기술▼c13399▼a참고문헌▼c14700▼a4장 디바이스에 적용 사례▼c15311▼a4-1 Logic 디바이스에 적용▼c15322▼a저유전율 절연막의 평탄화 기술▼c15333▼alogic ULSI 기초기술에의 응용▼c17044▼a4.2 Memory 디바이스에 적용▼c18755▼a4.3 차세대 배선 기술▼c20266▼a4.4 SOI 디바이스에 응용▼c23677▼a참고문헌▼c26088▼a5장 CMP의 장래▼c26999▼a찾아보기▼c27900
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