MARC

 008090603s2002        ulka                    000      kor
■020    ▼a8956881308
■0801  ▼a621.382
■082    ▼a621.38152▼bD582ㅂ▼223
■090    ▼a621.38152▼bD582ㅂ
■1001  ▼aSima  Dimitrijev  저
■24510▼a반도체공학▼dSima  Dimitrijev  저▼e허창우,  정학기  공역
■260    ▼a서울▼b양서각▼c2002
■300    ▼a435p.▼b삽도▼c26cm
■505    ▼a제1장  저항-반도체에  관한  소개▼a1.1  기본사항  :  저항의  구조  및  표동전류▼c9▼a1.2  전도도에  영향을  미치는  요소  :  화학적  결합▼c19▼a1.3  반도체저항  제작  :  사진식각  및  확산▼c32▼a1.4  캐리어  이동도▼c49▼a1.5  에너지밴드  모델▼c62▼a제2장  커패시터-역바이어스된  P-N  접합과  MOS  구조▼a2.1  기본응용▼c87▼a2.2  역바이어스  된  P-N  접합▼c90▼a2.3  역바이어스된  P-N  접합의  C-V  의존성  :  포아슨  방정식의  해00▼a2.4  SPICE  파라미터와  측정기술▼c11611▼a2.5  금속  -  산화막-  반도체(MOS)  커패시터와  열적  산화▼c1222▼a제3장  다이오드-순  바이어스  P-N  접합과  금속-  반도체  접합33▼a3.1  정류  다이오드를  :  기본  특성과  모델▼c17144▼a3.2  SPICE  모델과  파라미터,  축적된  전하  커패시턴스,  온도  효과▼c19155▼a3.3  정전압  다이오드  :  항복  현상▼c20466▼a3.4  쇼트키  다이오드  :  금속과  반도체  접촉▼c21177▼a제  4장  트랜지스터  응용의  기초88▼a4.1  아날로그  회로▼c23299▼a4.2  디지털  회로▼c24200▼a제5장  MOSFET11▼a5.1  MOSFET  원리▼c2522▼a5.2  MOSFET  기술▼c2733▼a5.3  MOSFET  모델링▼c2944▼a5.4  SPICE  파라미터와  기생  효과▼c3155▼a제6장  BJT66▼a6.1  BJT  특성▼c34177▼a6.2  바이폴라  IC  공정▼c35788▼a6.3  BJT  모델링▼c37399▼a6.4  SPICE  파라미터들▼c39200▼a6.5  소자  모델에  포함되지  않은  기생  요소들▼c40211▼a부록22▼a찾아보기▼c42933
■9500  ▼c15,000

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