서브메뉴
검색
반도체소자원리 = Principles of se
반도체소자원리 = Principles of se
Detailed Information
- 자료유형
- 단행본
- ISBN
- 9788992887021
- UDC
- 621.382
- DDC
- 621.38152 S588ㅂ-23
- 청구기호
- 621.38152 S588ㅂ
- 서명/저자
- 반도체소자원리 = Principles of se / Sima Dimitrijev 저 ; 윤한섭, 곽계달, 김철주,박상식, 엄기홍, 장의구, 정학기 공역
- 발행사항
- 서울 : 진샘미디어, 2008
- 형태사항
- 650p. : 삽도 ; 26cm
- 내용주기
- 완전내용1 반도체 결정: 원자 결합 모델부분내용3완전내용1.1 결정 격자부분내용4완전내용1.2 전류 캐리어(반송자)부분내용13완전내용1.3 결정 성장과 도핑 기술의 기초부분내용23완전내용2 양자역학과 에너지 대역 모델부분내용35완전내용2.1 파동성을 갖는 전자부분내용36완전내용2.2 원자의 에너지 준위와 결정체의 에너지 대역부분내용50완전내용2.3 입자 특성을 나타내는 전자와 정공부분내용61완전내용2.4 전자 상태 개수: 전자와 정공의 농도부분내용74완전내용3 표동부분내용10900완전내용3.1 전기장이 인가되었을 때의 에너지 대역부분내용10911완전내용3.2 옴의 법칙, 면 저항 및 전기전도도부분내용11322완전내용3.3 반송자 이동도부분내용12533완전내용4 확산부분내용14344완전내용4.1 확산-전류 방정식부분내용14355완전내용4.2 확산 계수부분내용14666완전내용4.3 기본적인 연속방정식부분내용15377완전내용5 생성과 재결합부분내용16188완전내용5.1 생성과 재결합의 원리부분내용16199완전내용5.2 연속방정식의 일반형부분내용16400완전내용5.3 생성과 재결합의 물성과 쇼클리-리드-홀(SRH) 이론부분내용17111완전내용6 P-N 접합부분내용20122완전내용6.1 P-N 접합 이론부분내용20233완전내용6.2 DC 모델부분내용21644완전내용6.3 역방향 바이어스 P-N 접합의 커패시턴스부분내용23155완전내용6.4 축적 전하 커패시턴스부분내용24766완전내용7 금속 - 반도체 접합 및 MOS 커패시터부분내용26377완전내용7.1 금속-반도체 접촉부분내용26488완전내용7.2 MOS 커패시터부분내용27499완전내용8 MOSFET부분내용31100완전내용8.1 MOSFET 원리부분내용31211완전내용8.2 전류-전압 특성과 관련 방정식부분내용32822완전내용8.3 2차 효과부분내용34033완전내용8.4 나노MOSFET부분내용34944완전내용8.5 MOS 관련 메모리 소자부분내용36755완전내용9 BJT부분내용37966완전내용9.1 BJT 특성부분내용37977완전내용9.2 기본적인 전류 - 전압 특성: 에버스-몰 모델부분내용40288완전내용9.3 2차 효과부분내용41099완전내용9.4 이종집합 BJT부분내용41800완전내용10 집적회로 기술부분내용43111완전내용10.1 집적회로 기술 내에서의 다이오드부분내용43122완전내용10.2 MOSFET 기술부분내용44233완전내용10.3 바이폴라 직접회로 기술부분내용46344완전내용11 소자 전자공학: 등가회로와 SPICE 파마리터부분내용48555완전내용11.1 다이오드부분내용48666완전내용11.2 MOSFET부분내용50077완전내용11.3 BJT부분내용52788완전내용12 광소자부분내용55199완전내용12.1 발광 다이오드(LED)부분내용55100완전내용12,2 광 검출기와 태양전지부분내용55511완전내용12.3 레이저부분내용56522완전내용13 극초단파 FET와 다이오드부분내용57533완전내용13.1 GaAs 대 Si부분내용57744완전내용13.2 JFET부분내용58155완전내용13.3 MESFET부분내용59066완전내용13.4 HEMT부분내용59577완전내용13.5 음성 저항 다이오드부분내용59988완전내용14 전력 소자부분내용61799완전내용14.1 전력 다이오드부분내용61800완전내용14.2 전력 MOSFET부분내용62311완전내용14.3 IGBT부분내용62722완전내용14.4 사이리스터부분내용62933
- 가격
- 29,000
- Control Number
- gtec:25033
MARC
008090603s2008 ulka 000 kor■020 ▼a9788992887021
■0801 ▼a621.382
■082 ▼a621.38152▼bS588ㅂ▼223
■090 ▼a621.38152▼bS588ㅂ
■1001 ▼aSima Dimitrijev 저
■24510▼a반도체소자원리▼xPrinciples of se▼dSima Dimitrijev 저▼e윤한섭, 곽계달, 김철주,박상식, 엄기홍, 장의구, 정학기 공역
■260 ▼a서울▼b진샘미디어▼c2008
■300 ▼a650p.▼b삽도▼c26cm
■505 ▼a1 반도체 결정: 원자 결합 모델▼c3▼a1.1 결정 격자▼c4▼a1.2 전류 캐리어(반송자)▼c13▼a1.3 결정 성장과 도핑 기술의 기초▼c23▼a2 양자역학과 에너지 대역 모델▼c35▼a2.1 파동성을 갖는 전자▼c36▼a2.2 원자의 에너지 준위와 결정체의 에너지 대역▼c50▼a2.3 입자 특성을 나타내는 전자와 정공▼c61▼a2.4 전자 상태 개수: 전자와 정공의 농도▼c74▼a3 표동▼c10900▼a3.1 전기장이 인가되었을 때의 에너지 대역▼c10911▼a3.2 옴의 법칙, 면 저항 및 전기전도도▼c11322▼a3.3 반송자 이동도▼c12533▼a4 확산▼c14344▼a4.1 확산-전류 방정식▼c14355▼a4.2 확산 계수▼c14666▼a4.3 기본적인 연속방정식▼c15377▼a5 생성과 재결합▼c16188▼a5.1 생성과 재결합의 원리▼c16199▼a5.2 연속방정식의 일반형▼c16400▼a5.3 생성과 재결합의 물성과 쇼클리-리드-홀(SRH) 이론▼c17111▼a6 P-N 접합▼c20122▼a6.1 P-N 접합 이론▼c20233▼a6.2 DC 모델▼c21644▼a6.3 역방향 바이어스 P-N 접합의 커패시턴스▼c23155▼a6.4 축적 전하 커패시턴스▼c24766▼a7 금속 - 반도체 접합 및 MOS 커패시터▼c26377▼a7.1 금속-반도체 접촉▼c26488▼a7.2 MOS 커패시터▼c27499▼a8 MOSFET▼c31100▼a8.1 MOSFET 원리▼c31211▼a8.2 전류-전압 특성과 관련 방정식▼c32822▼a8.3 2차 효과▼c34033▼a8.4 나노MOSFET▼c34944▼a8.5 MOS 관련 메모리 소자▼c36755▼a9 BJT▼c37966▼a9.1 BJT 특성▼c37977▼a9.2 기본적인 전류 - 전압 특성: 에버스-몰 모델▼c40288▼a9.3 2차 효과▼c41099▼a9.4 이종집합 BJT▼c41800▼a10 집적회로 기술▼c43111▼a10.1 집적회로 기술 내에서의 다이오드▼c43122▼a10.2 MOSFET 기술▼c44233▼a10.3 바이폴라 직접회로 기술▼c46344▼a11 소자 전자공학: 등가회로와 SPICE 파마리터▼c48555▼a11.1 다이오드▼c48666▼a11.2 MOSFET▼c50077▼a11.3 BJT▼c52788▼a12 광소자▼c55199▼a12.1 발광 다이오드(LED)▼c55100▼a12,2 광 검출기와 태양전지▼c55511▼a12.3 레이저▼c56522▼a13 극초단파 FET와 다이오드▼c57533▼a13.1 GaAs 대 Si▼c57744▼a13.2 JFET▼c58155▼a13.3 MESFET▼c59066▼a13.4 HEMT▼c59577▼a13.5 음성 저항 다이오드▼c59988▼a14 전력 소자▼c61799▼a14.1 전력 다이오드▼c61800▼a14.2 전력 MOSFET▼c62311▼a14.3 IGBT▼c62722▼a14.4 사이리스터▼c62933
■9500 ▼c29,000
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
detalle info
- Reserva
- Book Loan Request Service
- Mi carpeta
