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■020    ▼a89-895-5936-7
■0801  ▼a621.382
■082    ▼a621.38152▼b곽18ㅂ▼223
■090    ▼a621.38152▼b곽18ㅂ
■1001  ▼a곽계달,  김태환,  박재근,  박종완,  전형탁
■24510▼a반도체  집적  공정/▼d곽계달,  김태환,  박재근,  박종완,  전형탁  공역
■260    ▼a서울:▼b학술정보,▼c2004
■300    ▼a333p.:▼b삽도;▼c26cm
■505    ▼a저자  서문▼a역자  서문▼a1장  서론▼c1▼a2장  결정  성장▼c19▼a3장  실리콘  신화▼c45▼a4장  광  노광  공정▼c67▼a5장  식각  공정▼c95▼a6장  확산▼c117▼a7장  이온주입▼c139▼a8장  박막증착▼c16100▼a9장  집적  공정▼c20311▼a10장  IC  제조▼c25122▼a11장  미래의  추세와  도전▼c28733▼a부록A  기호  목록▼c29544▼a부록  B  단위(SI  단위)▼c29755▼a부록  C  단위용  접두어▼c29966▼a부록  D  그리스  문자▼c30177▼a부록  E  물리학적  상수▼c30388▼a부록  F  절대  온도  300도에서  SI와  GaAs의  특성▼c30599▼a부록  G  오차  함수  특성▼c30700▼a부록  H  가스의  기본적인  운동  이론▼c31111▼a부록  I  SUPREM  명령문▼c31322▼a부록  J  PROLITH  수행▼c31733▼a부록  K  t  분포의  백분율  소수점▼c31944▼a부록  L  F분포의  백분율  소수점▼c32155▼a찾아보기▼c32766
■507    ▼aFundamentals  of  semiconductor  fabrication▼aGary  S.  May,  Simon  M.  Sze
■9500  ▼b￦19000
■971    ▼a곽계달,  김태환,  박재근,  박종완,  전형탁  공역

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